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0.45mm Tipo S Precision Metal Thermocouple Wire - Alta precisão para medição de 1300°C

Lugar de origem Xangai
Marca Huona
Certificação ISO9001
Número do modelo Tipo S.
Quantidade de ordem mínima 2 milhões
Preço Negociável
Detalhes da embalagem Caixa de caixa/madeira
Tempo de entrega 5-21 dias
Termos de pagamento L/C, T/T, MoneyGram, Western Union
Habilidade da fonte 50000m pelo mês

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Detalhes do produto
Material condutor Positivo (SP): Pt90Rh10; Negativo (SN): 99,99% Pt puro Diâmetro 0,45 mm (tolerância: ± 0,003 mm)
Potencial termoelétrico (1000℃ vs 0℃) 10,591mV (em conformidade com IEC 60584-2) Faixa de temperatura operacional 0–1300°C (contínuo); 0–1600°C (curto prazo ≤30min)
Classe de Precisão Classe 1 (IEC 60584-2) Tempo de resposta térmica (τ₅₀) ≤2s (no ar a 800℃)
Resistência à tração (recozida) 350–400MPa Alongamento (25 ℃) ≥20%
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0Fios de termocouple tipo S de 45 mm

,

Cabo de termocouple de alta precisão

,

Fios de termocouple de medição de 1300°C

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Descrição de produto
0.45mm Tipo S Precision Metal Thermocouple Wire
Solução de medição de temperatura de alta precisão para aplicações até 1300°C
Visão geral do produto
O fio de termocouple de metal nobre de tipo S (0,45 mm de diâmetro) da Huona New Material é um elemento de detecção de temperatura de alta precisão composto por Pt10Rh (elétrodo positivo,10% de ródio - 90% de liga de platina) e 99Fabricado através de fusão a vácuo, desenho de precisão de vários passos e recozimento a alta temperatura, este fio oferece uma precisão de medição excepcional,estabilidade a longo prazo, e desempenho em altas temperaturas.
Designações padrão e base de materiais
  • Tipo de termopares: tipo S (Pt10Rh/Pt; termopares de metais nobres)
  • Especificação principal: diâmetro 0,45 mm (tolerância: ± 0,003 mm)
  • Composição química: Positivo (SP): Pt90Rh10; Negativo (SN): 99,99% de Pt puro
  • Normas de conformidade: IEC 60584-2, GB/T 1672-1997, ASTM E230
  • Fabricante: Huona New Material, certificado em conformidade com as normas ISO 9001 e IATF 16949
Principais vantagens de desempenho
Precisão e estabilidade de medição ultra-altas
  • Classe de precisão: preenche os requisitos de precisão mais elevados com erro de potencial termoelétrico ≤ ± 1,5°C (0-600°C)
  • Desvio mínimo a longo prazo: Desvio inferior a 3 μV após 1000 horas a 1200 °C
Performance de diâmetro de 0,45 mm otimizada
  • Sensibilidade e resistência equilibradas: tempo de resposta térmica ≤ 2 s a 800 °C
  • Adaptabilidade de aplicação miniaturizada: adapta-se a espaços de medição estreitos
Excelente resistência a altas temperaturas e ao ambiente
  • Ampla gama de temperaturas: contínua 0-1300°C, a curto prazo até 1600°C
  • Dutilidade mecânica superior: alongamento ≥ 20%, raio de curvatura até 0,9 mm
Especificações técnicas
Atributo Valor (típico)
Material do condutor Positivo (SP): Pt90Rh10; Negativo (SN): 99,99% puro Pt
Diâmetro 0.45 mm (tolerância: ± 0,003 mm)
Potencial termoelétrico (1000°C vs 0°C) 10.591mV (complies with IEC 60584-2)
Intervalo de temperatura de funcionamento 0-1300°C (contínua); 0-1600°C (a curto prazo ≤ 30min)
Classe de precisão Classe 1 (CEI 60584-2)
Tempo de resposta térmica (τ50) ≤ 2 s (no ar a 800 °C)
Resistência à tração (anulada) 350 a 400 MPa
Prolongamento (25°C) ≥ 20%
Especificações do produto
Ponto Especificações
Formulário de fornecimento Reboques (50 m/100 m por reboque; diâmetro do reboque 100 mm)
Precisão de corte Cortado ao comprimento (mínimo 100 mm, tolerância ± 0,1 mm)
Tratamento de superfície Cloreto de potássio
Embalagem Sacos de folha de alumínio, fechados a vácuo, com dessecantes
Personalização Pontos pré-soldados do termocouple; ajuste do diâmetro (0,3-0,6 mm)
Cenários de aplicação típicos
  • Calibração de laboratório: elemento essencial para a calibração de termómetros industriais de alta temperatura
  • Ensaios aeroespaciais: Monitorização da temperatura das pás de turbina dos motores de aeronaves (1200-1300°C)
  • Tratamento térmico de superligações: perfis térmicos do recozimento de componentes de superligações à base de níquel
  • Fabricação de semicondutores: detecção de temperatura em equipamento de epitaxia de wafer